时间：2025/9/14 9:13:10
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IXTP7N45A 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要用于高电压、高电流的开关应用。该器件采用 TO-247 封装，具备较高的耐用性和热稳定性，适合用于需要高效能功率转换的场合。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流：7A
最大漏源电压：450V
导通电阻（RDS(on)）：1.35Ω
栅极阈值电压：2V ~ 4V
最大功耗：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
IXTP7N45A 提供了低导通电阻和高速开关能力，使其在功率转换效率方面表现出色。该器件采用了先进的平面技术，提供了更高的可靠性和耐用性。此外，其 TO-247 封装设计具备良好的散热性能，适合在高功率环境下运行。器件的栅极驱动需求较低，简化了驱动电路的设计，并减少了开关损耗。其高击穿电压特性使其能够适应高电压应用场景。
这款 MOSFET 还具备较低的热阻特性，能够在较高温度环境下稳定运行。由于其出色的电气性能和热管理能力，IXTP7N45A 在工业控制、电源管理和电机驱动等领域得到了广泛应用。同时，该器件还具备较强的抗瞬态过电压能力，适合在苛刻的工作条件下运行。
IXTP7N45A 常用于各类功率电子设备中，例如电源适配器、开关电源、直流电机控制器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关电路。其高电压和高电流特性也使其适用于太阳能逆变器和电动车充电系统等新能源领域。
STP7NK45Z, FQA7N45, IRF740
