类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：150V
　　漏源导通电阻（RDS(on) max）：28mΩ @ VGS=10V
　　连续漏极电流（ID）：62A
　　脉冲漏极电流（IDM）：248A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　功耗（PD）：300W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　阈值电压（VGS(th)）：4.0V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：6000pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：1100pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复
　　开启延迟时间（td(on)）：35ns
　　关断延迟时间（td(off)）：75ns
　　封装形式：TO-247

IXTP62N15P的核心优势之一是其出色的导通性能，典型漏源导通电阻仅为28mΩ，在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提升系统能效。这一特性使其特别适用于大电流直流-直流转换器和高功率开关电源中，尤其是在追求高效能和低发热的设计中表现出色。同时，由于其低RDS(on)，在并联使用多个MOSFET时可实现更均匀的电流分配，减少热失衡问题。
　　该器件具备高达150V的漏源击穿电压，能够在瞬态电压波动较大的环境中稳定运行，例如在电机启动或负载突变时产生的电压尖峰。结合其高达62A的连续漏极电流能力，IXTP62N15P适用于驱动大功率电机、电焊设备及工业加热系统。此外，其脉冲漏极电流可达248A，意味着在短时间内可以承受极高的电流冲击，适用于脉冲功率应用如激光驱动或电磁阀控制。
　　IXTP62N15P采用了先进的平面垂直DMOS工艺制造，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。其最大功耗为300W，并可通过TO-247封装有效传导热量至散热器，便于实现高效的热管理。该封装还具备良好的电气绝缘性能和机械强度，适合在恶劣工业环境中长期运行。
　　该MOSFET的开关特性也极为优异，具有较低的栅极电荷和输入/输出电容，使得驱动电路所需功率较小，易于与PWM控制器或隔离驱动器配合使用。开启和关断延迟时间分别为35ns和75ns，支持高频开关操作（可达数十kHz甚至更高），有助于减小磁性元件体积，提高电源功率密度。同时，快速的开关速度降低了开关过渡期间的能量损耗，减少了温升。
　　在可靠性方面，IXTP62N15P经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力和抗短路能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端温度条件下可靠工作，适用于户外设备、汽车电子或高温工业环境。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了额外的保护裕度，防止因驱动信号异常导致的栅极击穿。

IXTP62N15P广泛应用于多种高功率电子系统中，尤其适用于需要高效、高可靠性的电力转换场景。在工业领域，常用于大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和逆变器系统中作为主开关器件，负责将直流电高效地转换为交流电或调节电压等级。
　　在电机驱动方面，该器件可用于交流感应电机、永磁同步电机或步进电机的驱动电路中，特别是在变频器和伺服驱动器中实现精确的速度和扭矩控制。其高电流承载能力和快速响应特性使其能够满足动态负载变化的需求。
　　此外，IXTP62N15P也常见于电焊机电源模块中，用于构建斩波电路或全桥拓扑结构，提供稳定的焊接电流输出。其耐高温和抗冲击能力非常适合电弧焊、MIG/MAG焊等高能量密度工艺。
　　在可再生能源系统中，如太阳能逆变器或风力发电变流器，该MOSFET可用于DC-AC转换环节，帮助实现电网并网或储能系统的能量调度。
　　其他应用还包括大功率LED驱动、电池充电系统、电磁炉、感应加热设备以及实验室用直流电源等。凭借其优异的电气和热性能，IXTP62N15P成为众多高功率模拟与数字混合系统中的关键组件。

IRFP4468
　　SPW47N150CFD
　　STW62N150
　　APT62N15L