时间：2025/9/14 10:03:29
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PSMN2R0-30BL,118 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 技术制造，具有低导通电阻、高效率和优异的热稳定性。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等高功率场景。PSMN2R0-30BL,118 采用紧凑的 LFPAK56 封装，有助于减少 PCB 空间并提高系统集成度。
类型：N 沟道
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：160A
导通电阻 Rds(on)：2.0mΩ
功率耗散 Pd：140W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：LFPAK56
PSMN2R0-30BL,118 具有极低的导通电阻（Rds(on)）为 2.0mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其先进的 Trench MOS 技术确保了优异的开关性能和热稳定性，适合高频开关应用。
该 MOSFET 支持高达 160A 的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。±20V 的栅源电压耐受能力增强了其在高压应用中的可靠性，并降低了栅极驱动电路的设计难度。
LFPAK56 封装具有优异的散热性能，同时支持双面散热，有助于提高器件在高负载条件下的热管理能力。此外，该封装结构增强了抗机械应力能力，提升了焊接可靠性。
PSMN2R0-30BL,118 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应了严苛的工业和汽车应用环境。其高可靠性设计符合 AEC-Q100 汽车级认证要求，适用于车载电子系统。
PSMN2R0-30BL,118 主要应用于电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能服务器电源、工业自动化设备和电动汽车（EV）充电系统的理想选择。
在汽车电子领域，该器件适用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电池保护电路以及电动助力转向系统（EPS）。此外，它还可用于工业电机控制、不间断电源（UPS）和光伏逆变器等高功率应用。
由于其优异的热管理和高频响应特性，PSMN2R0-30BL,118 也适用于高密度电源模块设计，支持现代电子设备对小型化和高效能的需求。
PSMN3R0-30BL,118, PSMN1R8-30MLC,118, IPP120N10N3G, IRF1324S30LPBF
