IXTP4N48 时间：2025/8/6 2:49:21 阅读：14

IXTP4N48 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效、高功率密度的电源转换系统中。该器件采用 TO-247 封装，具有较低的导通电阻和出色的热性能，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及工业自动化设备等应用场景。IXTP4N48 的设计使其能够在高温环境下稳定工作，并具备较高的耐用性和可靠性。

参数

类型：MOSFET
　　极性：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：480V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTP4N48 MOSFET 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可高达 480V，这使其适用于中高压电源转换系统。其 N 沟道增强型结构提供了良好的导通性能，并通过优化的晶圆设计降低了导通损耗。此外，器件的最大连续漏极电流为 4A，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　该 MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）最大为 2.2Ω，在导通状态下能有效减少功率损耗，提高整体系统效率。其栅源电压范围为 ±20V，支持广泛的驱动电路设计，便于与多种控制器或驱动芯片配合使用。
　　IXTP4N48 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，有助于提高器件在高功率应用中的可靠性。该封装形式也便于安装和散热片连接，适用于高密度功率电路设计。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　在安全性和可靠性方面，IXTP4N48 提供了良好的雪崩能量承受能力，能够有效防止因电压尖峰引起的损坏。同时，其热稳定性较强，能够在高负载和高温环境下长时间运行。

应用

IXTP4N48 主要应用于各类功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器、电机驱动器和逆变器等。在开关电源中，该器件可作为主开关使用，提供高效能的功率转换。在电机控制和驱动电路中，IXTP4N48 可用于 PWM 控制和功率调节。此外，它还可用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）系统以及太阳能逆变器等高可靠性应用场景。