IXTP4N100 时间：2025/12/26 21:10:57 阅读：10

IXTP4N100是一款由IXYS公司生产的高电压、低导通电阻的N沟道功率MOSFET，专为高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及工业控制等高压应用而设计。该器件采用TO-247封装，具备优良的热性能和机械稳定性，适用于需要高耐压与可靠性的电力电子系统。其额定漏源电压（VDS）高达1000V，连续漏极电流（ID）在25°C时可达4A，能够承受较高的瞬态电压和电流冲击，适合在恶劣工作环境下长期稳定运行。IXTP4N100利用先进的平面栅极技术制造，确保了良好的栅极氧化层可靠性，并具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提升整体系统效率。
　　该器件具有快速开关能力，反向恢复特性良好，配合适当的驱动电路可实现高频操作，适用于硬开关和软开关拓扑结构。此外，IXTP4N100内置体二极管，能够在感性负载切换过程中提供续流路径，提高系统的安全性和鲁棒性。由于其高耐压特性和稳健的设计，这款MOSFET常用于太阳能逆变器、高压电源、电焊机、感应加热设备及高压脉冲发生器等工业级应用中。产品符合RoHS环保标准，且具备良好的抗雪崩能力和dv/dt耐受能力，进一步增强了其在复杂电磁环境中的适应性。

参数

型号：IXTP4N100
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：1000V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：4A
　　连续漏极电流（ID）@100°C：2.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：16A
　　最大功耗（PD）：200W
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5Ω @ VGS=10V
　　阈值电压（VGS(th)）：4~6V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：84ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTP4N100具备卓越的高电压阻断能力，其1000V的漏源击穿电压使其适用于多种高压开关应用。该器件采用优化的平面工艺技术，实现了在高耐压条件下的低导通电阻（典型值3.5Ω），有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。其较低的栅极电荷（典型Qg为60nC）和输入电容有助于减少驱动电路的负担，支持更高的开关频率运行，从而减小外围滤波元件的体积，提高电源系统的功率密度。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，结温最高可达150°C，适合在高温工业环境中长期工作。
　　器件的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=84ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了在感性负载关断过程中的能量损耗和电压尖峰，提高了系统的可靠性。同时，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在过压或负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏，增强了系统的鲁棒性。TO-247封装提供了优异的散热性能和机械强度，便于安装于散热器上，确保热量有效传导。该器件还具备良好的dv/dt和di/dt耐受能力，可在高频开关条件下稳定运行，减少电磁干扰（EMI）问题。所有这些特性共同使IXTP4N100成为高压、高可靠性电力电子设计中的理想选择。

应用

IXTP4N100广泛应用于各类高电压、高效率的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在高压AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，适用于通信电源、工业电源和医疗设备电源模块。在太阳能光伏逆变器中，该器件可用于直流侧的开关单元，实现高效的能量转换。此外，它也适用于电机驱动系统，如交流伺服驱动器和变频器，用于控制大功率电机的启停和调速。在电焊机、高频感应加热设备和高压脉冲电源中，IXTP4N100凭借其高耐压和强电流切换能力，表现出优异的动态响应和可靠性。由于其具备良好的热性能和抗干扰能力，也可用于不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及高压照明系统（如氙灯触发器）。在工业自动化控制系统中，该器件常用于固态继电器（SSR）或高压开关模块的设计，替代传统机械继电器，提升系统寿命和响应速度。