时间：2025/8/6 4:50:14
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IXTP36N20T是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的功率MOSFET器件，属于其OptiMOS?系列的一部分。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和工业自动化等场景。IXTP36N20T采用TO-220封装，具备良好的热性能和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：36A
最大漏-源电压（VDS）：200V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大45mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：94W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
IXTP36N20T采用了英飞凌的OptiMOS?技术，优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡，使其在高频应用中表现优异。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的效率，减少发热并提高系统可靠性。
该器件的栅极设计提供了良好的开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，适用于需要快速开关的功率转换器和逆变器。此外，IXTP36N20T具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供额外的保护。
TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，适用于高功率密度的设计。该封装也符合工业标准，方便在多种电路设计中替换和使用。
此外，IXTP36N20T的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V），使得其可以与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
IXTP36N20T广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电池管理系统。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合。
在电机控制应用中，IXTP36N20T可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制；在电源管理系统中，它可作为主开关器件，用于调节和稳定输出电压；在太阳能逆变器或储能系统中，该器件可用于高效的能量转换和管理。
此外，由于其优异的热性能，IXTP36N20T也常用于需要长时间高负载运行的工业设备中，如焊接机、电镀电源和高频感应加热设备。
IPW60R045C7, FDPF36N20, STP36NF20
