时间：2025/8/6 5:01:03
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IXTP15N20T是一款由IXYS公司生产的高电压、高功率的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管专为高效率功率转换和高电压开关应用设计，广泛应用于工业电源、电机控制、逆变器、不间断电源（UPS）以及其他高功率系统中。IXTP15N20T采用TO-247封装，具有良好的热性能和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：200V
最大连续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.28Ω（最大0.33Ω）
最大功耗（Ptot）：180W
工作温度范围：-55°C至+150°C
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
漏极-源极击穿电压：200V
输入电容（Ciss）：约1100pF
反向恢复时间（trr）：快速恢复二极管特性
封装形式：TO-247
IXTP15N20T具有多项优异的电气和热性能特点，使其适用于高电压和高功率的应用环境。
首先，该MOSFET的最大漏源电压为200V，能够在较高的电压下稳定工作，适用于高压开关电路和电源转换系统。
其次，其最大连续漏极电流为15A，具备较强的电流承载能力，适用于中高功率应用，如电机驱动、逆变器和DC-DC转换器。
该器件的导通电阻为0.28Ω（典型值），具有较低的导通损耗，有助于提高系统的整体效率。在高电流工作条件下，低导通电阻可以有效减少功率损耗和发热。
IXTP15N20T采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够有效散发工作过程中产生的热量，从而提升器件的稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使其在高频开关应用中表现良好，减少了开关损耗并提高了响应速度。
该器件内置的快速恢复二极管特性，使得其在桥式电路或需要反向续流的场合中表现出良好的性能，减少了外部续流二极管的需求，简化了电路设计。
IXTP15N20T的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于广泛的工业环境，具有良好的温度适应性和稳定性。
IXTP15N20T广泛应用于各种高电压和高功率的电子系统中。在工业电源系统中，该MOSFET可用于高压DC-DC转换器、功率因数校正（PFC）电路以及开关电源（SMPS）设计，提供高效率的电能转换。
在电机控制领域，IXTP15N20T可用于直流电机驱动器、伺服电机控制器以及无刷直流电机（BLDC）驱动电路，其高电流承载能力和低导通电阻确保了电机的高效运行。
该器件也适用于逆变器系统，如太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统，作为核心的功率开关元件，负责将直流电转换为交流电，满足高电压和高功率的输出需求。
此外，IXTP15N20T还可用于工业自动化设备、电焊机、电镀电源、高压LED驱动电源等应用场景，提供稳定可靠的功率控制。
由于其快速开关特性和内置的快速恢复二极管，该MOSFET在桥式电路、H桥逆变器等拓扑结构中表现出色，减少了外部元件的数量并提高了系统效率。
STP15NF20, FDPF15N20, IRFP460LC
