IXTP130N15X4 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司生产)制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高电压应用。该器件采用 TO-264 封装,具有良好的热管理和高导通性能。IXTP130N15X4 的设计使其适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器和工业自动化等需要高效功率管理的场景。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):130 A
最大漏-源电压(VDS):150 V
最大栅-源电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):典型值 5.2 mΩ
最大工作温度:150°C
封装形式:TO-264
功耗(PD):300 W
IXTP130N15X4 具有优异的导通性能和低导通电阻,能够在高电流条件下保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了更高的单位芯片面积电流密度,使其在高功率应用中表现出色。此外,该 MOSFET 的封装设计具有良好的热传导性能,有助于快速散热,提高器件在高负载下的稳定性。
其栅极驱动特性较为宽泛,支持高达 ±20V 的栅极电压,从而提供了更宽的设计灵活性。此外,IXTP130N15X4 还具备较高的短路耐受能力,使其在突发高负载条件下仍能保持稳定工作。该器件的结构设计也使其具有较低的开关损耗,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
从可靠性角度来看,IXTP130N15X4 采用了工业级制造工艺,符合 RoHS 标准,并具有较强的抗冲击和抗振动能力,适用于各种严苛的工作环境。
IXTP130N15X4 广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中,如工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变系统。在电动汽车和充电基础设施中,该器件也可用于电池管理系统和车载充电器模块。
由于其高导通性能和低导通电阻,IXTP130N15X4 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。例如,在服务器电源和电信设备中,该 MOSFET 可用于提高电源转换效率并降低系统温升。在电机控制应用中,该器件能够提供稳定的电流控制,提升电机运行效率和响应速度。
此外,该器件也适用于高功率 LED 驱动器、电焊机和感应加热设备等功率电子系统。其优异的热管理和高耐压特性,使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行。
IXTP130N15X4 的替代型号包括 IXTP120N15X4、IXTP140N15X4 和 IXTP130N15T4,这些型号在电气特性和封装形式上具有较高的兼容性,可根据具体需求进行选型替换。