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IXTP130N15X4 发布时间 时间:2025/8/6 2:52:42 查看 阅读:36

IXTP130N15X4 是一款由 Littelfuse(原 IXYS 公司生产)制造的高功率 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高电压应用。该器件采用 TO-264 封装,具有良好的热管理和高导通性能。IXTP130N15X4 的设计使其适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制、逆变器和工业自动化等需要高效功率管理的场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏极电流(ID):130 A
  最大漏-源电压(VDS):150 V
  最大栅-源电压(VGS):±20 V
  导通电阻(RDS(on)):典型值 5.2 mΩ
  最大工作温度:150°C
  封装形式:TO-264
  功耗(PD):300 W

特性

IXTP130N15X4 具有优异的导通性能和低导通电阻,能够在高电流条件下保持较低的功率损耗,从而提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供了更高的单位芯片面积电流密度,使其在高功率应用中表现出色。此外,该 MOSFET 的封装设计具有良好的热传导性能,有助于快速散热,提高器件在高负载下的稳定性。
  其栅极驱动特性较为宽泛,支持高达 ±20V 的栅极电压,从而提供了更宽的设计灵活性。此外,IXTP130N15X4 还具备较高的短路耐受能力,使其在突发高负载条件下仍能保持稳定工作。该器件的结构设计也使其具有较低的开关损耗,适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
  从可靠性角度来看,IXTP130N15X4 采用了工业级制造工艺,符合 RoHS 标准,并具有较强的抗冲击和抗振动能力,适用于各种严苛的工作环境。

应用

IXTP130N15X4 广泛应用于需要高功率处理能力的电子系统中,如工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源(UPS)以及太阳能逆变系统。在电动汽车和充电基础设施中,该器件也可用于电池管理系统和车载充电器模块。
  由于其高导通性能和低导通电阻,IXTP130N15X4 特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换系统。例如,在服务器电源和电信设备中,该 MOSFET 可用于提高电源转换效率并降低系统温升。在电机控制应用中,该器件能够提供稳定的电流控制,提升电机运行效率和响应速度。
  此外,该器件也适用于高功率 LED 驱动器、电焊机和感应加热设备等功率电子系统。其优异的热管理和高耐压特性,使其在复杂电磁环境中仍能保持稳定运行。

替代型号

IXTP130N15X4 的替代型号包括 IXTP120N15X4、IXTP140N15X4 和 IXTP130N15T4,这些型号在电气特性和封装形式上具有较高的兼容性,可根据具体需求进行选型替换。

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IXTP130N15X4参数

  • 现有数量46现货
  • 价格1 : ¥55.57000管件
  • 系列Ultra X4
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 毫欧 @ 70A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)87 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4770 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)400W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3