TR115F1 时间：2025/8/12 16:43:16 阅读：40

TR115F1 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关和电源管理系统等领域。TR115F1通常采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.8mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装形式：TO-220、D2PAK

特性

TR115F1 具备优异的导通性能和快速开关特性，能够在高频率下稳定工作，从而提高电源系统的整体效率。
　　其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，减少发热，延长器件使用寿命。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下保持稳定性能，适合高温环境下的应用。
　　此外，TR115F1具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的可靠性。
　　由于其高栅极电荷（Qg）较低，驱动电路设计更为简单，减少了对驱动器的要求，提高了系统的响应速度。
　　该器件符合RoHS环保标准，适用于各类绿色电子设备的设计与制造。