时间：2025/8/6 9:58:56
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IXTP120N075T2是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高功率和高频应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适用于如电源转换器、电机驱动、电池充电器等应用。该器件采用TO-247封装，提供良好的热管理和高可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：120A
最大漏源电压(Vds)：75V
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ
栅极电荷(Qg)：82nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXTP120N075T2具有低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体效率。
其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定运行，适用于多种高功率应用。
该MOSFET具有快速开关性能，有助于减少开关损耗并提高工作频率。
它还具有较高的热稳定性，确保在高温条件下仍能保持良好性能。
此外，该器件的封装设计提供了良好的散热能力，使其能够在高电流条件下长时间运行而不发生过热现象。
IXTP120N075T2广泛应用于各种高功率电子设备中，如DC-DC转换器、电机控制器、逆变器和电池管理系统。
由于其高效率和可靠性，它也常用于工业电源、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。
在电机驱动应用中，该MOSFET能够提供高电流输出并保持稳定的性能，确保电机运行顺畅。
此外，该器件还可用于高频开关电源和电源管理系统，以提高整体能效。
SiHF120N07LT、IRFP4468PBF、STP120N7F7AG、FDP120N07AL
