时间：2025/8/6 2:09:47
阅读：26
IXTP100N15X4是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽技术（Trench Technology），提供了优异的导通和开关性能。IXTP100N15X4封装为TO-247，适用于各种高功率应用场景，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理以及工业自动化设备。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：150V
漏极连续电流（Id）：100A（Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大值为5.5mΩ
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
最大耗散功率（Ptot）：310W
IXTP100N15X4具有多项优异的电气和热性能，使其成为高功率应用的理想选择。其沟槽技术确保了更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。此外，该器件的封装设计优化了散热性能，使得在高电流条件下依然能保持稳定的温度控制。
该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，确保在极端条件下仍能可靠运行。它还具有较低的栅极电荷（Qg），从而减少了开关损耗，提高了系统的动态响应性能。IXTP100N15X4的栅极驱动电压范围宽，支持±20V，适用于多种驱动电路设计。
在热管理方面，TO-247封装提供了良好的热传导性能，便于与散热片或PCB进行有效的热连接。该器件还具有较低的热阻（Rth），有助于在高负载条件下维持较低的结温，延长使用寿命。
IXTP100N15X4广泛应用于多种高功率电子系统中，包括DC-DC转换器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其优异的导通和开关性能，该MOSFET特别适合用于需要高效率和高可靠性的场合。
在电源管理领域，IXTP100N15X4常用于多相电源系统中，作为主开关元件，以实现高效的能量转换。在电机控制应用中，该器件用于H桥电路，以提供快速的开关响应和低导通损耗。此外，在新能源应用中，如电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的功率转换系统中，该MOSFET也广泛使用。
IPW60R045C7, STD100N15F7, IPU60R045CE
