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IXFK98N60X3 发布时间 时间:2025/8/5 17:09:32 查看 阅读:24

IXFK98N60X3是一款由IXYS公司生产的高功率场效应晶体管(MOSFET),主要用于高电压和高电流应用,例如电源转换器、电机控制和工业自动化设备。该器件采用了先进的平面技术,具有出色的导通和开关性能。IXFK98N60X3采用TO-247封装,具备良好的热管理和高可靠性,适用于需要高效能和高稳定性的应用环境。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):98A(在Tc=25℃时)
  导通电阻(Rds(on)):0.085Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):180nC(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-247

特性

IXFK98N60X3具有多项优良特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其低导通电阻确保了在高电流下的高效能运行,减少了导通损耗并提高了系统效率。其次,该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力,能够在突发性过电压条件下保持稳定工作,提升了系统的可靠性。
  此外,IXFK98N60X3采用了先进的平面技术,使得其在高频开关应用中表现出色,减少了开关损耗,提高了整体性能。该器件的高栅极电荷特性使其适用于需要快速开关的场合,同时具备良好的抗干扰能力。
  IXFK98N60X3的TO-247封装设计优化了热管理性能,确保了在高功率工作状态下的散热效率。这种封装形式也便于安装和维护,提高了实际应用的便捷性。在工业控制、电源管理、变频器、不间断电源(UPS)等应用中,IXFK98N60X3均能提供稳定、高效的性能表现。

应用

IXFK98N60X3广泛应用于各种高功率电子系统中,包括工业电源、电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节设备以及新能源系统(如太阳能逆变器和风力发电系统)。此外,它也适用于高性能电源转换器、DC-AC逆变器以及各种高电压开关应用。由于其优异的导通性能和高可靠性,IXFK98N60X3在需要高效率和长寿命的工业自动化和电力电子系统中具有广泛应用前景。

替代型号

IXFH98N60P, IXFN98N60P, IRFP460LC, STW98N60M2

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IXFK98N60X3参数

  • 现有数量325现货
  • 价格1 : ¥139.52000管件
  • 系列*
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型-
  • 技术-
  • 漏源电压(Vdss)-
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)-
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)-
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)-
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度-
  • 安装类型-
  • 供应商器件封装-
  • 封装/外壳-