时间：2025/8/5 14:34:51
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IXTP08N100D2 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电压和高电流的应用场景。这款 MOSFET 提供了卓越的性能和可靠性，适用于各种电力电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（Id）：8A
漏源电压（Vds）：1000V
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：125W
IXTP08N100D2 MOSFET 的主要特性包括高电压和高电流能力，适用于需要处理高功率的应用。该器件采用了先进的制造技术，确保了在恶劣条件下的可靠运行。其低导通电阻（Rds(on)）降低了功率损耗，提高了效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和过载能力，能够在高温环境下正常工作。其封装设计使得安装和散热更加方便，适合在各种工业和电力电子设备中使用。
这款 MOSFET 还具有快速开关特性，适用于高频应用，减少了开关损耗。其栅极驱动要求较低，简化了驱动电路的设计。IXTP08N100D2 的耐用性和稳定性使其成为许多高要求应用的理想选择。
IXTP08N100D2 常用于电源转换器、开关电源（SMPS）、逆变器、电机驱动器、照明系统以及工业自动化设备中。由于其高电压和高电流能力，它也适用于需要高效能和高可靠性的应用，如 UPS（不间断电源）、电焊机和太阳能逆变器等。此外，该器件还广泛应用于各种高功率电子设备中，以提供稳定的性能和较长的使用寿命。
STP8NK100Z, FQA8N100, IRFPC50
