型号：IRFHM8337
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：650 V
　　栅源电压VGS：±20 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：10 A
　　脉冲漏极电流IDM：40 A
　　导通电阻RDS(on) max（@10V VGS）：75 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max（@4.5V VGS）：95 mΩ
　　阈值电压VGS(th)：典型值3.0 V，范围2.0~4.0 V
　　输入电容Ciss：典型值1100 pF（@25°C, 1 MHz）
　　输出电容Coss：典型值350 pF（@25°C, 1 MHz）
　　反向恢复时间trr：典型值35 ns
　　最大工作结温Tj：150 °C
　　封装类型：PG-HSOF-8

IRFHM8337采用英飞凌专有的TrenchStop? 5技术，这项技术通过优化沟槽结构和电场分布，在高压阻断能力和导通性能之间实现了理想平衡。该技术显著降低了器件的导通电阻RDS(on)，同时有效控制了开关过程中的能量损耗，使得MOSFET在高频开关操作下仍能维持高效率。特别地，其RDS(on)在650V耐压等级下仅为75mΩ（VGS=10V），这在同类产品中处于领先水平，有助于减少传导损耗并降低系统温升。
　　TrenchStop? 5技术还增强了器件的开关速度和动态性能。得益于更低的栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），IRFHM8337能够实现更快的开启和关断响应，从而缩短开关过渡时间，减小开关重叠损耗。这对于诸如LLC谐振转换器、有源钳位反激式变换器等软开关拓扑尤为重要，可显著提高整体电源系统的效率。此外，较低的输入和输出电容也减少了驱动电路所需的功率，有利于简化栅极驱动设计并降低驱动芯片成本。
　　该器件具备出色的抗雪崩能力，意味着它能在短暂过压或电感负载突变情况下承受一定的能量冲击而不损坏。这一特性提升了系统在异常工况下的鲁棒性，减少了对外部保护元件的依赖，从而优化BOM成本。其集成的快速体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约35ns），大幅削弱了反向恢复电流尖峰和电磁干扰（EMI），避免了对其他器件造成应力损伤，尤其适用于需要频繁换向的应用如桥式电路和同步整流。
　　PG-HSOF-8封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且采用了增强型散热设计，使结到外壳的热阻（RthJC）保持在较低水平，确保热量高效传递至散热器或PCB铜层。这种封装还具备低寄生电感特性，有助于抑制开关瞬态过程中的电压振荡和振铃现象，进一步提升系统的电磁兼容性和可靠性。总体而言，IRFHM8337凭借其先进工艺、优异电气性能和坚固封装，成为中高端功率应用的理想选择。

IRFHM8337适用于多种高效率、高频率的电力电子应用场景。在工业电源领域，常用于服务器电源、通信电源中的PFC（功率因数校正）级和主功率变换级，特别是在连续导通模式（CCM）PFC拓扑中表现出色，能够有效降低传导损耗并提升满载效率。由于其具备良好的高温性能和稳定的RDS(on)温漂特性，适合长时间满负荷运行的环境。
　　在可再生能源系统中，该器件可用于光伏微型逆变器或组串式逆变器的DC-AC转换阶段，支持单相全桥或半桥拓扑结构，配合MPPT算法实现高效能量转换。其快速开关能力和低Eoss（输出电容储存能量）使其在高频调制下依然保持低损耗，有助于缩小磁性元件体积，提升系统功率密度。
　　在电动交通工具方面，IRFHM8337可用于车载充电机（OBC）的次级侧同步整流或辅助电源模块，满足汽车级可靠性要求。同时，它也适用于电动工具、无人机、机器人等便携式设备中的电池供电DC-DC转换器，提供紧凑而高效的解决方案。此外，在UPS不间断电源、工业电机驱动和LED恒流驱动电源中也有广泛应用前景。得益于其稳健的设计和良好的热管理能力，即使在恶劣环境温度下也能保证系统持续稳定运行。

IPD90N65C5
　　IKW80N65ES
　　SPW80N60CFD