容量：4 Mbit
　　组织结构：256K × 16
　　工作电压：1.7V ~ 1.9V
　　访问时间：250 ps
　　工作频率：最高可达 400 MHz
　　数据速率：800 Mbps（DDR 支持下）
　　封装类型：84-ball FBGA (10mm × 14mm)
　　温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数量：84
　　I/O 电压：1.8V
　　时钟频率最大值：400 MHz
　　写入周期时间：2.5 ns
　　读取周期时间：2.5 ns
　　供电电流（典型值）：约 180 mA（在全速运行时）

CY7C1625KV18-250BZXC 具备多项先进特性，使其成为高性能同步SRAM应用中的理想选择。首先，该器件采用同步架构设计，所有输入输出操作均与时钟信号严格同步，确保了在高频系统总线环境下的稳定性和时序一致性。其内部采用流水线控制机制，允许在一个时钟周期内完成地址输入并在后续周期内连续输出数据，显著提升了数据吞吐能力。支持突发模式访问，用户可配置突发长度（如1、2、4、8或整页），从而优化连续数据读写的效率，减少地址总线占用时间。
　　其次，该芯片具备低功耗特性，通过CMOS工艺优化实现了极低的待机电流和运行电流，尤其适合电池供电或热管理严格的系统。其核心电压为1.8V，不仅降低了整体功耗，还提高了与现代低电压逻辑器件的兼容性。此外，器件支持部分字节使能（UB/LB 控制），允许单独控制高位和低位数据总线的读写操作，增强了数据处理灵活性，并减少了不必要的功耗消耗。
　　再者，CY7C1625KV18-250BZXC 提供了出色的电气性能和抗干扰能力，具备内部终端电阻调节功能，有助于改善信号完整性，减少反射和串扰，提升高速信号传输的稳定性。其输出驱动强度可调，适应不同负载条件下的最佳性能匹配。同时，该器件具备高可靠性的封装设计，采用FBGA封装形式，具有优良的散热性能和机械稳定性，适用于高振动或温度变化剧烈的工业环境。
　　最后，该SRAM芯片符合工业级标准，支持宽温工作范围（-40°C 至 +85°C），并通过了严格的可靠性测试，包括高温老化、温度循环和湿度敏感度等级评估，确保长期运行的稳定性与耐用性。这些综合特性使得 CY7C1625KV18-250BZXC 在高端通信设备、路由器、交换机、测试仪器及实时控制系统中得到广泛应用。

CY7C1625KV18-250BZXC 广泛应用于需要高速、低延迟和高可靠性的电子系统中。其主要应用场景包括宽带通信设备，如光纤传输系统、以太网交换机和路由器，其中用作数据包缓冲区或帧缓存，以应对突发流量并保障数据吞吐的连续性。在网络基础设施设备中，该芯片可用于协议处理单元或网络处理器的本地内存扩展，支持快速查找表操作和实时数据处理任务。
　　在工业自动化领域，该SRAM常被集成于PLC控制器、运动控制卡和工业HMI设备中，用于暂存传感器数据、执行程序代码或缓存图形界面信息，确保系统的响应速度和稳定性。由于其支持工业级温度范围，因此可在恶劣环境下长期稳定运行。
　　此外，在测试与测量仪器（如示波器、逻辑分析仪、频谱仪）中，CY7C1625KV18-250BZXC 被用于高速数据采集缓冲，能够实时捕获大量信号样本并供后续分析处理。其同步接口特性与高速ADC/DAC系统高度匹配，提升了整机性能。
　　在军事和航空航天电子系统中，虽然该器件非宇航级产品，但因其高可靠性和稳定性，也可用于地面站设备、雷达信号预处理模块等非极端辐射环境中。同时，在高端嵌入式系统和数字信号处理平台中，该芯片可作为协处理器或FPGA的外部高速缓存，弥补片上存储资源的不足，提升整体运算效率。

CY7C1625KV18-250BZXIT
　　CY7C1625KV18-250BZC
　　CY7C1625KV18-200BZXC
　　IS61WFV102436BLL-250BLI