时间：2025/8/6 11:18:18
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IXTN44N50L是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET采用TO-247封装形式，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性，适用于各种工业和电力电子系统。IXTN44N50L的设计旨在提供卓越的性能和可靠性，使其成为开关电源、逆变器、电机控制等应用中的理想选择。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大连续漏极电流(Id)：44A
导通电阻(Rds(on))：0.075Ω
栅极电荷(Qg)：140nC
最大功耗(Pd)：200W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
IXTN44N50L具有多个关键特性，使其在高性能功率应用中表现优异。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.075Ω，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET的最大漏源电压（Vds）为500V，最大连续漏极电流（Id）为44A，具备较高的电压和电流承受能力，适合高压大电流环境。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为140nC，具有较低的开关损耗，能够实现较高的开关频率。IXTN44N50L的热稳定性良好，最大功耗为200W，能够在高功率条件下保持稳定运行。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种恶劣环境条件。TO-247封装形式提供了良好的散热性能，同时便于安装和集成。
IXTN44N50L广泛应用于多种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、逆变器、电机控制、电池充电器、太阳能逆变器以及工业自动化设备。其高电压和高电流能力使其成为高压DC-DC转换器和高功率电源供应器的理想选择。此外，该MOSFET也可用于音频放大器、UPS系统和电动车辆的电力管理系统。
IXTH44N50L, IXTP44N50L
