IXTN36N50SI 时间：2025/8/5 19:41:08 阅读：25

IXTN36N50SI 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、电机控制、工业自动化以及高效率开关电源（SMPS）等应用。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流处理能力以及优良的热稳定性，适用于高功率密度和高可靠性要求的系统。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：500V
　　栅源电压 Vgs：±30V
　　连续漏极电流 Id：36A
　　功耗（Ptot）：200W
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.115Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTN36N50SI 具备出色的电气和热性能，其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高击穿电压（Vds=500V）使其适用于多种高电压应用，如DC-DC转换器、逆变器、UPS系统等。
　　此外，该MOSFET具有快速开关能力，减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度。其高雪崩能量承受能力和出色的短路耐受能力，增强了系统的稳定性和可靠性。
　　在封装方面，TO-247 设计提供了良好的散热性能，使得该器件能够在较高工作电流下保持较低的温升。IXTN36N50SI 还具备抗静电（ESD）保护和热保护特性，进一步提升了其在恶劣工作环境下的适应能力。
　　综上所述，IXTN36N50SI 是一款性能优异、适用于多种高功率应用的功率 MOSFET，能够满足工业、汽车及电源系统中对高效率、高可靠性的严格要求。

应用

IXTN36N50SI 主要用于以下应用领域：
　　工业电源和开关电源（SMPS）中的主开关器件；
　　DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路和逆变器；
　　电机控制和驱动系统，如变频器、伺服驱动器；
　　不间断电源（UPS）和储能系统；
　　LED 照明电源、电池充电器等高效率电源设备；
　　汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电机控制模块；
　　高电压直流输电和太阳能逆变器等新能源应用。