IXTN36N50 时间：2025/12/26 18:27:08 阅读：10

IXTN36N50是一款由IXYS公司生产的高电压、大电流N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关性能的电力电子系统中。该器件采用先进的平面栅极技术制造，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高功率密度设计。其主要优势在于能够在高达500V的漏源电压下工作，同时提供36A的连续漏极电流能力，使其成为工业电机控制、电源转换器、逆变器以及感应加热等应用的理想选择。该MOSFET封装在TO-247形式中，具备良好的热传导性能，有助于在高负载条件下有效散热，从而提升整体系统稳定性与寿命。此外，IXTN36N50还具备快速开关响应特性，可减少开关损耗，提高能效，尤其适合高频操作环境。器件的设计符合RoHS环保标准，并具备较高的抗雪崩能量能力，增强了在恶劣工作条件下的鲁棒性。

参数

型号：IXTN36N50
　　制造商：IXYS
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：36 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：144 A
　　导通电阻（Rds(on)）：max 125 mΩ @ Vgs = 10 V
　　阈值电压（Vgs(th)）：min 3.0 V，max 5.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 2300 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值 390 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 96 ns
　　功耗（Pd）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTN36N50具备多项关键电气与热力学特性，使其在高功率开关应用中表现出色。首先，其最大漏源电压达到500V，允许该器件用于中高压直流或交流电源系统，如工业电源、UPS不间断电源及太阳能逆变器中，能够承受瞬态过压而不发生击穿。其次，该MOSFET在室温下可承载高达36A的连续漏极电流，脉冲电流能力更是达到144A，表明其在短时高峰值负载下仍能稳定运行，适用于电机驱动等动态负载场景。
　　该器件的导通电阻Rds(on)典型值为125mΩ，在同类高压MOSFET中处于较低水平，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，尤其是在大电流工作条件下效果显著。低Rds(on)也有助于减少发热，降低对散热系统的依赖，从而缩小整体电源模块体积。
　　此外，IXTN36N50具有优良的开关特性。其输入电容Ciss约为2300pF，输出电容Coss为390pF，这些电容参数决定了栅极驱动所需能量较小，有利于实现高频开关操作。配合快速的反向恢复时间（trr ≈ 96ns），可有效减少体二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰，提升电路可靠性。
　　热性能方面，TO-247封装提供了较大的表面积和良好的热传导路径，使得200W的最大功耗得以有效管理。该器件可在-55°C至+150°C的宽结温范围内安全运行，适应严苛的工业环境。同时，其具备较强的抗雪崩能力，能够在非钳位感性负载开关过程中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统鲁棒性。

应用

IXTN36N50广泛应用于多种高功率电力电子设备中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关器件，利用其高耐压和低导通损耗优势提升转换效率。在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，支持双向转矩控制和快速启停响应。
　　在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器，IXTN36N50常被用作DC-AC变换的核心开关元件，处理来自太阳能板或发电机的高压直流电并将其转换为交流电输出。其高频率开关能力和热稳定性有助于实现紧凑型逆变器设计。
　　此外，该器件也适用于感应加热设备，例如电磁炉、金属熔炼装置等，其中需要在高频下切换大电流以产生交变磁场。IXTN36N50的快速开关特性和高电流承载能力在此类应用中至关重要。
　　其他应用还包括不间断电源（UPS）、焊接电源、高压照明系统（如氙灯镇流器）以及工业自动化控制系统中的功率级模块。由于其高可靠性和耐用性，该MOSFET也被用于医疗设备和铁路牵引系统中的辅助电源单元。