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2SK4079A-T1B 发布时间 时间:2025/4/30 19:15:39 查看 阅读:19

2SK4079A-T1B是一种高性能的N沟道MOSFET功率晶体管,广泛应用于高频、高电压和大电流的开关电路中。该器件采用TO-3PF封装形式,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性,非常适合用于电力电子设备中的功率转换、电机驱动和开关电源等领域。
  该型号是2SK4079系列的一个变种,其后缀“-T1B”通常表示特定的筛选等级或封装标识,可能在某些电气参数上与标准版略有不同。

参数

最大漏源电压:1500V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:6A
  导通电阻:8Ω
  总功耗:160W
  结温范围:-55℃ to +175℃

特性

2SK4079A-T1B具备以下显著特点:
  1. 高耐压能力,能够承受高达1500V的最大漏源电压,适用于高压环境下的开关应用。
  2. 快速开关性能,得益于优化的内部结构设计,能有效降低开关损耗。
  3. 低导通电阻(典型值为8Ω),有助于减少传导损耗并提高效率。
  4. 工作温度范围广,可适应从极端低温到高温的工作环境,增强了器件的可靠性。
  5. 具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,适合工业级和商业级的应用场景。

应用

2SK4079A-T1B适用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 逆变器和变频器中的功率开关器件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  4. 高频功率放大器的核心组件。
  5. 各类工业自动化设备中的功率转换模块。
  由于其高耐压和大电流特性,这款MOSFET特别适合需要处理高电压和大功率的场合。

替代型号

2SK4079A, 2SK4079, IRFP460, STP17NF50

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