时间：2025/8/6 2:28:17
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IXTN36N45是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和出色的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化设备等领域。IXTN36N45采用TO-247封装形式，便于散热并适用于高电流应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：450V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：36A（Tc=25°C）
功耗(PD)：200W
导通电阻(RDS(on))：0.105Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
阈值电压(VGS(th))：4V（典型值）
输入电容(Ciss)：2000pF（典型值）
IXTN36N45具备多项高性能特性，首先是其低导通电阻，使得在导通状态下的功率损耗显著降低，提高了整体系统的效率。
其次，该MOSFET具有较高的耐压能力，漏源击穿电压为450V，适用于高压直流和交流电源转换系统。
此外，IXTN36N45采用了先进的平面技术，优化了热阻特性，使得器件在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。
该器件还具备快速开关能力，具有较低的开关损耗，适合高频操作环境，如开关电源（SMPS）和逆变器系统。
TO-247封装形式提供了良好的机械稳定性和便于安装的特性，适合工业级应用的高可靠性需求。
最后，IXTN36N45通过了AEC-Q101汽车级认证，可在严苛的环境中稳定工作，因此也适用于汽车电子系统。
IXTN36N45常用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和逆变器等。
在电源管理领域，该器件适用于高效率AC-DC和DC-DC转换器设计，尤其在服务器电源、电信设备和工业电源中广泛应用。
在电机控制方面，IXTN36N45可用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路，提供高电流能力和快速响应特性。
此外，该MOSFET还被用于太阳能逆变器和储能系统，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高能源转换效率。
在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC变换器和电动助力转向系统（EPS）等关键部件。
IXFN36N45, IRF360, STW45NM50ND, FDPF36N45
