时间：2025/10/7 6:39:35
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UPM1C151MED是一款由Unipower（友台半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOD-123FL小型表面贴装封装。该器件专为高效率、小体积的电源管理应用而设计，广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC转换器以及负载开关等场景。UPM1C151MED基于先进的沟槽栅极技术制造，能够在低电压工作条件下提供优异的导通性能和开关特性。其额定电压为20V，最大持续漏极电流可达1.5A（取决于测试条件），适合在空间受限但对功耗敏感的应用中替代传统三极管或更大封装的MOSFET。
该器件具有低阈值门极驱动特性，支持逻辑电平直接驱动，兼容3.3V或5V微控制器输出信号，无需额外的电平转换电路。SOD-123FL封装不仅节省PCB面积，还具备良好的热性能，适用于自动化贴片生产工艺。UPM1C151MED符合RoHS环保要求，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品对环境友好材料的需求。由于其出色的性价比和稳定性，该型号已成为中小功率开关应用中的主流选择之一。
型号：UPM1C151MED
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：SOD-123FL
连续漏极电流（ID）：1.5A @ 70°C
脉冲漏极电流（IDM）：6A
漏源击穿电压（BVDSS）：20V
栅源阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.2V
导通电阻（RDS(on)）：85mΩ @ VGS=4.5V, ID=1A
导通电阻（RDS(on)）：110mΩ @ VGS=2.5V, ID=1A
栅极电荷（Qg）：典型值3.5nC
输入电容（Ciss）：典型值120pF
反向恢复时间（trr）：典型值12ns
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
峰值回流焊温度（20s）：260°C
UPM1C151MED采用先进的沟槽栅极工艺技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少导通损耗，提升系统整体能效。其在VGS=4.5V时的典型RDS(on)仅为85mΩ，在低电压供电系统如3.3V或电池供电设备中表现出色。即使在VGS=2.5V的逻辑电平驱动下，仍能保持110mΩ以下的低导通电阻，确保在微控制器直接控制时也能实现高效开关操作。这种低门槛驱动能力使得它非常适合用于由GPIO引脚直接驱动的负载开关、LED驱动或电机控制电路中，避免了额外驱动IC的使用，简化了设计复杂度并降低成本。
该器件具有快速的开关响应特性，得益于较小的栅极电荷（Qg ≈ 3.5nC）和输入电容（Ciss ≈ 120pF），能够实现高频开关动作，适用于高达数百kHz甚至MHz级别的DC-DC变换器拓扑结构，例如同步整流降压转换器。同时，较短的反向恢复时间（trr ≈ 12ns）意味着体二极管具有较快的关断速度，有助于降低非理想导通带来的交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。
SOD-123FL封装具有极小的占位面积（约2mm x 1.2mm），适合高密度布局的便携式产品，如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备和物联网终端。该封装还优化了散热路径，通过底部导热焊盘有效传导热量，提高长期运行可靠性。此外，器件内部结构经过严格筛选和测试，具备良好的抗静电能力（HBM ESD ≥ 2kV），增强了生产过程中的鲁棒性。整体上，UPM1C151MED在性能、尺寸与成本之间实现了良好平衡，是现代低功耗电子系统中理想的功率开关元件。
UPM1C151MED广泛应用于各类低电压、小电流的电源开关与功率控制场合。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的电池供电管理模块，用于控制不同功能单元的上电时序或实现待机模式下的电源切断，以降低静态功耗。在DC-DC降压转换器中，常作为同步整流MOSFET使用，替代传统的肖特基二极管，显著提高转换效率，尤其在轻载和中等负载条件下优势明显。此外，该器件也适用于LED背光驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现精确的亮度调节和节能控制。
在工业与通信领域，UPM1C151MED可用于传感器模块、无线收发器电源域切换、USB端口过流保护以及热插拔控制电路。其支持逻辑电平驱动的特性使其可以直接连接微处理器或FPGA的I/O引脚，实现对负载的智能控制，而无需额外的驱动芯片。在智能家居设备、智能电表、POS机等嵌入式系统中，该器件被广泛用于电源多路分配、冗余电源切换和故障隔离等功能模块。由于其小型化封装和高可靠性，也非常适合自动化贴片生产线的大规模制造需求，保障产品一致性与良率。
UPM1H151MTC
UPM1C151MEB
AON1510
SI2302CDS
FDMT1512
