类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：400V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：36A（在Tc=25°C时）
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247AC
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.11Ω（当Vgs=10V时）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V

IXTN36N40具有多种优良特性，使其在高功率应用中表现卓越。首先，其漏源电压高达400V，能够支持较高电压的电路设计，适用于各种高压开关环境。其次，该MOSFET的连续漏极电流为36A，在适当的散热条件下可以处理较大的负载电流，非常适合用于大功率电源系统。
　　此外，IXTN36N40采用了TO-247AC封装，具有良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热片上以提高散热效率。该封装形式也增强了器件的耐用性，适用于工业级应用环境。
　　该器件的导通电阻较低，最大仅为0.11Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体能效。同时，其栅源电压范围为±20V，确保在不同的驱动条件下仍能稳定工作。阈值电压范围为2V至4V，表明该MOSFET可以在较低的驱动电压下开启，适合使用标准的MOSFET驱动电路。
　　IXTN36N40的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，适用于严苛环境下的工业、汽车和消费类电子产品。最大功耗为200W，进一步增强了其在高功率应用中的可靠性。

IXTN36N40被广泛应用于多个领域，特别是在需要高电压和高电流处理能力的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该MOSFET可用于主开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可作为H桥电路的开关，控制直流电机或步进电机的运行。
　　此外，IXTN36N40还可用于DC-DC转换器、逆变器、电池充电器以及各种工业自动化设备中的功率开关。由于其优异的热性能和稳定的电气特性，该器件也常用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和家用电器等产品中。
　　在家用电器领域，该MOSFET可用于电磁炉、电热水器等大功率负载控制电路。在汽车电子方面，它可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载电源管理模块。

IRF360, IRFP460, STP36NF06, FQA36N40