类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：500V
　　最大漏极电流 Id（连续）：30A
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：典型值 0.165Ω（最大 0.22Ω）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-247AC
　　功耗 PD：208W
　　栅极电荷 Qg：典型值 75nC
　　漏源击穿电压变化率 dV/dt：最大 5V/ns

IXTN30N50 具备一系列优秀的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，该 MOSFET 的高耐压能力（500V）使其适用于多种高压电路设计。其次，其低导通电阻（Rds(on)）在额定电流下可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 30A，适合中高功率应用场景。
　　IXTN30N50 采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热性能，有助于在高功率条件下保持较低的结温，从而提升器件的稳定性和可靠性。其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的效率表现。同时，该器件具备较高的 dV/dt 耐受能力，能够在高频开关环境下保持稳定运行。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，可在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适应多种环境条件。此外，其 ±20V 的栅源电压耐受能力允许在驱动电路设计中具有更大的灵活性，减少因栅极电压波动而导致损坏的风险。

IXTN30N50 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统等。其高耐压和大电流能力使其在 AC-DC 和 DC-DC 功率转换拓扑中尤为适用，如 Boost、Buck、Half-Bridge 和 Full-Bridge 等结构。此外，该器件还可用于高频谐振变换器和光伏逆变系统中，提供高效的功率开关解决方案。
　　在电机控制领域，IXTN30N50 常用于 H 桥电路中作为功率开关，实现对直流或无刷电机的高效控制。在电源管理系统中，该 MOSFET 可用于负载切换、电池保护电路以及功率因数校正（PFC）模块中，提高系统的整体效率和稳定性。

IXTP30N50, FQA30N50, IRFP460, STW34NB20