时间：2025/8/5 15:39:17
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IXTM6N80是一款由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET晶体管。这款MOSFET设计用于高功率开关应用，具有较高的耐压能力以及较低的导通电阻，适合用于电源管理、电机控制和逆变器等电路中。该器件采用TO-220封装形式，便于散热并确保在高功率条件下的稳定运行。
类型: N沟道MOSFET
漏极电流 (Id): 6A
漏极-源极电压 (Vds): 800V
栅极-源极电压 (Vgs): ±30V
导通电阻 (Rds(on)): 2.5Ω（最大）
功率耗散 (Pd): 50W
工作温度范围: -55°C ~ +150°C
IXTM6N80具备多项优异特性，包括高击穿电压（800V），能够承受较高的电压应力，适用于高电压应用场景。其较低的导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能，从而提高了系统的可靠性。其TO-220封装形式不仅便于安装，而且具有良好的散热性能，适用于多种高功率电子设备。另外，该MOSFET具备快速开关特性，适合高频开关应用，从而减少了开关损耗，提高了响应速度。
IXTM6N80常用于开关电源（SMPS）、直流电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、照明镇流器以及工业自动化控制系统中。其高耐压和较低导通电阻的特性也使其适合用于需要高可靠性和高效能的功率转换设备。
STP6NK80Z, FQP6N80, IRF840
