类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：550V
　　最大漏极电流 Id：15A
　　导通电阻 Rds(on)：0.38Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅极电压 Vgs：±30V
　　功耗 PD：170W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

IXTM15N55 具备出色的导通性能和开关特性，使其适用于各种高功率应用。其主要特性包括：
　　? 高耐压能力：该 MOSFET 支持高达 550V 的漏源电压，适用于中高压功率转换系统。
　　? 低导通电阻：Rds(on) 最大值为 0.38Ω，在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
　　? 快速开关性能：具备较低的输入和输出电容，使得该器件在高频开关电路中表现优异，减少开关损耗。
　　? 热稳定性好：采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力，适用于连续高功率工作的应用场景。
　　? 过载能力强：可承受瞬时高电流，适用于电机驱动、开关电源等需要承受冲击电流的场合。
　　? 栅极保护设计：具备内置栅极保护二极管，提高器件在高噪声环境中的稳定性与可靠性。
　　这些特性使得 IXTM15N55 成为高性能功率开关的理想选择，广泛用于工业控制、电源设备和消费电子产品。

IXTM15N55 适用于多种功率电子系统，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）：用于高效率的 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，提高能效并减小系统尺寸。
　　? 电机控制：作为功率开关用于无刷直流电机驱动、变频控制和伺服系统中。
　　? 逆变器系统：在 UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和变频器中作为主开关器件。
　　? 工业自动化设备：用于 PLC 控制、继电器替代以及负载切换应用。
　　? 消费类电子产品：如电视电源、LED 照明调光系统和智能家电中的功率调节模块。
　　? 电池管理系统：在电动工具、电动车和储能系统中用于充放电控制。
　　其高耐压、低导通电阻和良好的热管理能力，使其成为高可靠性功率应用的首选器件。

STP15NK55Z, FQA16N55, IRFP460LC, FDPF15N55