IXTK82N25 时间：2025/8/6 4:28:58 阅读：25

IXTK82N25 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高效率电源转换系统，如 DC-DC 转换器、电机控制、逆变器以及电源管理系统。其主要特点包括高电流承载能力、低导通电阻（Rds(on)）和高耐压性能，使其在高功率应用中表现优异。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：82A
　　漏源极击穿电压（VDS）：250V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247AC

特性

IXTK82N25 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高耐压能力（250V）使其适用于多种中高功率应用场景。此外，其高电流承载能力（82A）确保了在大负载条件下仍能稳定运行。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，增强了其在严苛工业环境中的适用性。由于其快速开关特性，IXTK82N25 也非常适合用于高频开关应用，从而减小外围电感和电容元件的体积，提高整体系统的功率密度。此外，该器件具有良好的抗雪崩击穿能力，增强了其在电压瞬态情况下的鲁棒性。
　　该 MOSFET 采用 TO-247AC 封装，便于散热并支持通孔安装，适合用于高功率密度设计。封装设计有助于提高热传导效率，从而延长器件的使用寿命并提升系统的稳定性。同时，其栅极驱动电压范围较宽（通常为 10V 至 20V），允许使用多种类型的驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。

应用

IXTK82N25 广泛应用于各类高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、焊接设备以及电动车充电系统。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高侧和低侧开关，以实现高效的能量转换。在电机控制领域，其快速开关能力和高电流承载能力使其成为 PWM 控制的理想选择。此外，该 MOSFET 还可用于电源管理系统中的负载切换、电池管理系统（BMS）以及高功率 LED 驱动器等场景。其高可靠性和热稳定性也使其适用于航空航天、汽车电子等对性能要求较高的领域。