IXTK75N30 时间：2025/8/6 4:45:19 阅读：31

IXTK75N30 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压和高电流应用而设计。这款 MOSFET 被广泛用于电源转换器、电机控制、逆变器、开关电源（SMPS）以及其他需要高效能功率开关的场合。IXTK75N30 提供了良好的导通和开关特性，适用于各种功率电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：75A
　　功耗（Pd）：400W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTK75N30 MOSFET 的主要特性包括高耐压能力，能够承受高达 300V 的漏源电压，使其适用于高电压应用。其高电流承载能力（75A）和低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流条件下依然具有良好的效率和较低的功率损耗。
　　此外，该器件采用了先进的平面 DMOS 技术，提供了卓越的热稳定性和可靠性。其 400W 的最大功耗允许在高负载条件下运行，同时具备良好的散热性能。该器件的 TO-247 封装形式也便于安装在散热器上，从而提高系统的热管理能力。
　　IXTK75N30 还具有较快的开关速度，适用于高频开关应用，有助于减少开关损耗并提高系统效率。栅极驱动电压范围宽（±20V），使得该器件能够兼容多种驱动电路设计，包括具有较高驱动能力的专用 MOSFET 驱动 IC。

应用

IXTK75N30 主要应用于需要高电压和高电流能力的电力电子设备中。常见的应用包括工业电源系统、DC-DC 转换器、AC-DC 整流器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及焊接设备等。
　　由于其高可靠性和热稳定性，该 MOSFET 也常用于需要长时间运行的工业自动化控制系统。此外，在电动汽车充电器和电池管理系统中，IXTK75N30 可作为主开关器件，用于控制高电压电池组的能量流动。
　　在消费类电子产品中，该器件也可用于高性能开关电源（SMPS）和大功率 LED 照明驱动器中，以提高系统的整体效率和稳定性。