IXTK73N30 时间：2025/8/6 6:35:21 阅读：18

IXTK73N30 是一款由 IXYS 公司制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高电压和高电流应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和卓越的热稳定性，适用于电源管理、电机控制、逆变器以及各种工业和汽车电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：73A
　　漏源击穿电压（VDS）：300V
　　栅源击穿电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

IXTK73N30 的关键特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高系统效率。该 MOSFET 采用 TO-247 封装，具有良好的热管理和散热性能。
　　此外，该器件的高耐压能力（300V）使其非常适合用于高电压应用，如电源转换器和电机驱动器。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），为设计提供了灵活性，同时保证了稳定的运行。
　　IXTK73N30 还具有出色的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性和耐用性。这使得它在汽车和工业环境中尤为适用，这些环境常常面临较高的电磁干扰和电压波动。
　　该器件的工作温度范围非常广泛，从 -55°C 到 +175°C，使其能够在极端温度条件下稳定工作。这种特性在高温工业应用或低温户外环境中特别重要。

应用

IXTK73N30 广泛应用于各种高功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制器、逆变器、UPS（不间断电源）系统以及汽车电子设备。
　　在电源管理领域，该 MOSFET 可用于高效能电源转换器，以提高能源利用率并减少热量产生。
　　在工业自动化中，IXTK73N30 常被用于驱动大功率负载，如电动机和加热元件，确保快速开关和稳定运行。
　　在汽车应用中，该器件可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动车辆的逆变器系统，提供可靠和高效的电力转换。
　　此外，该 MOSFET 还适用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电控制器，以支持清洁能源的高效转换和分配。