时间：2025/8/6 11:36:01
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IXTK33N50是一款由IXYS公司制造的N沟道功率MOSFET。这款晶体管被设计用于高功率应用，例如电源转换器、电机控制、负载开关以及逆变器系统。IXTK33N50具备较高的漏极-源极击穿电压（500V）和较大的连续漏极电流能力（33A），能够在高温环境下稳定运行。该器件采用TO-247封装，散热性能良好，适合工业级应用需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：500V
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：33A @ TC=100°C
脉冲漏极电流（Idm）：130A
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：110nC（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：TO-247
IXTK33N50具备一系列优秀的电气和热性能，使其适用于高功率密度设计。其高击穿电压（500V）允许在高压系统中使用，而低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频开关应用，同时具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
该MOSFET的封装设计（TO-247）提供了良好的散热路径，支持在高负载条件下长时间稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（通常为10V至15V），允许使用多种栅极驱动器电路进行控制，提高了设计灵活性。
另外，IXTK33N50具有较高的抗干扰能力，能在电磁环境复杂的工业场景中稳定工作。同时，该器件的可靠性高，符合RoHS环保标准，适合用于对环保要求较高的应用。
IXTK33N50广泛应用于各种高功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、焊接设备以及工业自动化控制系统等。其高压、大电流能力使其成为许多工业和电力电子系统中的关键元件。
STP33NF50, IRFP460, FDP33N50, FQP33N50, SPW33N50C3
