时间：2025/8/6 3:07:52
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IXTK102N65X2是一款由Littelfuse公司推出的N沟道增强型功率MOSFET，设计用于高效能电源应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，实现了低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于如电源转换器、DC-DC转换器、电机控制以及工业自动化等高功率需求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：650V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
漏极连续电流(Id)：102A
导通电阻(Rds(on))：最大值0.036Ω
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247AC
功率耗散(Pd)：300W
IXTK102N65X2的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这显著降低了导通损耗并提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有优异的热管理和高电流处理能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其高耐压特性（650V）使其适用于中高压电源系统，如AC-DC电源、工业电机驱动和不间断电源（UPS）。
该器件还采用了优化的封装设计，提高了散热性能，从而减少了对额外散热器的需求。此外，IXTK102N65X2具有快速开关特性，能够支持高频操作，有助于减小电源系统的体积和重量。其高可靠性和坚固的结构设计也使其适用于严苛的工作环境。
IXTK102N65X2广泛应用于各种高功率电子系统，包括工业电源、AC-DC转换器、DC-DC转换器、UPS系统、太阳能逆变器、电机控制模块以及电动汽车充电设备。由于其高效的能量转换能力和出色的热稳定性，该MOSFET在需要高可靠性和高性能的电源管理系统中表现出色。
IXTK100N65X2, IXTK104N65X2
