L6386ED 时间：2025/7/23 1:52:45 阅读：9

L6386ED 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的双通道高端栅极驱动器芯片，专为驱动N沟道功率MOSFET或IGBT而设计。该芯片采用高电压工艺制造，能够承受高达600V的工作电压，适用于各种功率转换和电机控制应用。L6386ED采用16引脚PowerSSO封装，具有良好的热性能和可靠性。

参数

工作电压（VDD）：9V ~ 20V
　　高压侧浮动电压：最高600V
　　输出驱动能力：拉电流/灌电流最大500mA/700mA
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS兼容
　　死区时间控制：内置
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerSSO-16

特性

L6386ED具备多种保护和控制功能，以确保在高电压和高电流环境下稳定运行。该芯片的高压侧和低压侧输出均具备独立的使能控制引脚，允许用户对每个通道进行单独控制。其内置的死区时间控制功能可防止上下桥臂直通现象，从而提高系统安全性。芯片还具有欠压锁定（UVLO）保护，当供电电压低于安全阈值时，自动关闭输出以防止误操作。
　　L6386ED采用自举供电方式为高压侧驱动器供电，简化了外部电源设计。该芯片的输入信号兼容TTL和CMOS电平，方便与各种控制器连接。由于其高集成度和强大的驱动能力，L6386ED能够有效减少外围元件数量，提高系统的可靠性和效率。
　　此外，L6386ED的封装设计具有良好的散热性能，适合在高功率密度应用中使用。其抗干扰能力强，能够在恶劣的电磁环境中稳定工作。这些特性使得L6386ED广泛应用于电源转换、电机驱动、照明控制等工业和消费类电子产品中。

应用

L6386ED主要用于各种需要驱动高压功率MOSFET或IGBT的场合，如DC-AC逆变器、电机控制驱动器、无刷直流电机控制器、开关电源（SMPS）、LED照明驱动电路以及工业自动化设备。由于其高电压和高驱动能力，该芯片特别适合用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。例如，在电机控制应用中，L6386ED可用于驱动H桥电路，实现电机的正反转和速度调节。在电源系统中，它可用于驱动同步整流器或PFC（功率因数校正）电路中的MOSFET，提高电源转换效率。