时间：2025/8/6 5:09:31
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IXTH98N20T是一款由Littelfuse（力特）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率密度和高效率的应用场景，具备出色的导通和开关性能。由于其高电流承载能力和较低的导通电阻，IXTH98N20T广泛应用于工业电源、电机控制、电动汽车（EV）充电设备以及太阳能逆变器等领域。该MOSFET采用TO-247封装形式，具有良好的热管理和机械稳定性。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：200V
最大连续漏极电流（ID）：98A
导通电阻（RDS(on)）：最大值11mΩ（典型值8mΩ）
栅极电荷（Qg）：典型值为320nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
最大功率耗散（PD）：320W
IXTH98N20T的主要特性包括其极低的导通电阻，这使得在高电流工作条件下能够显著降低功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通特性和开关速度之间的平衡。此外，IXTH98N20T具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供更好的稳定性和可靠性。
另一个显著特点是其出色的热性能，TO-247封装提供了良好的散热能力，使得该MOSFET能够在较高的环境温度下稳定工作。此外，该器件的栅极设计优化了驱动电路的兼容性，减少了开关过程中的能量损耗，从而进一步提升了效率。
IXTH98N20T还具备良好的短路和过载保护能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其宽泛的工作温度范围也使其适用于严苛的环境条件。
IXTH98N20T主要用于高功率和高效率要求的应用场景，包括但不限于以下领域：
1. **工业电源系统**：如不间断电源（UPS）、直流电源转换器等。
2. **电机控制与驱动**：用于电动工具、工业自动化设备中的电机驱动电路。
3. **电动汽车充电设备**：在车载充电器和直流快充设备中作为主开关元件。
4. **可再生能源系统**：如太阳能逆变器和储能系统，用于高效率的能量转换。
5. **电力电子变换器**：在DC-DC转换器和逆变器中用于高电流开关应用。
6. **测试与测量设备**：用于高精度电源控制和负载管理。
IXTH98N20XV, IXFN98N20T, IXFK98N20T
