时间：2025/6/3 20:15:53
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BL9161G-15BADRN是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
BL9161G-15BADRN适用于需要高效能和高可靠性的电子设备，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载切换等场景。
类型：N沟道增强型
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗(Ptot)：15W
工作结温范围(Tj)：-55°C至+175°C
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力，能够在过载条件下提供额外的保护。
3. 快速开关速度，适合高频操作环境。
4. 热稳定性好，能在极端温度条件下长期可靠运行。
5. 具备优异的静电放电(ESD)防护能力，提高了器件的耐用性和抗干扰性能。
6. 封装形式坚固，便于散热和安装。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器
2. 直流-直流(DC-DC)转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动和控制电路
5. 负载开关和保护电路
6. 通信和工业设备中的功率管理模块
IRLB8748PBF, FDP5500, AO3400
