IXTH96N20P 时间：2025/12/24 18:02:43 阅读：10

IXTH96N20P是一款由Littelfuse（原IXYS Corporation）制造的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOS技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。IXTH96N20P特别适用于高功率应用，如电源转换器、电机控制、逆变器和工业自动化系统。该MOSFET采用TO-247封装，便于散热并确保在高负载条件下的稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　漏极电流(Id)：96A
　　导通电阻(Rds(on))：13mΩ
　　栅极电荷(Qg)：140nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247

特性

IXTH96N20P具有多项出色的电气和热性能，使其成为高功率应用的理想选择。其低导通电阻（Rds(on)）仅为13mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件可承受高达96A的连续漏极电流，并在短时间脉冲电流下表现优异，适用于需要高电流能力的场合。
　　此外，IXTH96N20P具备出色的热稳定性，其最大工作温度可达175°C，确保在高温环境下仍能稳定运行。栅极电荷（Qg）为140nC，支持快速开关操作，减少开关损耗并提升系统响应速度。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级应用。该器件还内置了静电放电（ESD）保护功能，增强了器件的可靠性和耐用性。

应用

IXTH96N20P广泛应用于多种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS系统、太阳能逆变器以及工业自动化设备。其优异的导通性能和高电流能力使其在需要高效能转换和精确控制的应用中表现出色。
　　在电机控制和驱动器应用中，IXTH96N20P可提供快速响应和稳定的输出，适用于直流电机、伺服电机和步进电机的控制电路。在电力电子转换系统中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效的能量转换。
　　由于其高可靠性和优异的热性能，IXTH96N20P也适用于汽车电子系统、电池管理系统（BMS）以及工业级电源模块。