IXTH69N20Q 时间：2025/8/5 18:31:14 阅读：45

IXTH69N20Q 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频率的应用。该器件具有低导通电阻、高电流能力和出色的热性能，适用于电源转换、电机控制、逆变器和电源管理等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：69A
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.038Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：420W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH69N20Q 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得该器件在高电流应用中能够有效降低导通损耗，提高整体效率。其 200V 的耐压能力使其适用于中高功率应用，例如 DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）以及电机驱动系统。
　　此外，该 MOSFET 具有较高的热稳定性和散热能力，能够在较高温度环境下稳定运行。其 TO-247 封装形式便于安装在散热片上，有助于热量的快速散发。
　　该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，能够有效降低开关损耗，提高系统效率。栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持与多种驱动电路的兼容性。
　　另外，IXTH69N20Q 设计上采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了电流密度和可靠性。其内部结构优化有助于减少寄生电容，从而提升高频工作性能。

应用

IXTH69N20Q 广泛应用于各种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-AC 逆变器、工业电机控制、电动车充电系统、太阳能逆变器以及电动工具等。在开关电源中，该器件可作为主开关用于高效能量转换；在电机控制和电动车系统中，它可用于 H 桥电路实现正反转控制；在太阳能逆变器中，它用于将直流电能转换为交流电能并网输出。
　　由于其高可靠性和优异的热管理能力，IXTH69N20Q 也常用于需要长时间连续运行的工业设备和自动化系统中。