IXTH67N10A 时间：2025/8/5 19:30:54 阅读：22

IXTH67N10A 是由 Littelfuse（原 IXYS 公司）生产的一款高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高功率密度的电源转换设备中。该器件采用 TO-247 封装，具有低导通电阻、高电流容量和优良的热性能，适合应用于 DC-DC 转换器、电机控制、逆变器和开关电源等领域。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：67A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 18.5mΩ（典型值 16mΩ）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Ptot）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-247

特性

IXTH67N10A 的核心优势在于其低导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其 Rds(on) 典型值为 16mΩ，最大为 18.5mΩ，确保了在高电流条件下的低功率损耗。
　　该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，提供更高的电流密度和更优的热稳定性。此外，IXTH67N10A 还具备快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件的 TO-247 封装设计有助于良好的散热性能，提高了器件在高功率应用中的可靠性。IXTH67N10A 还内置了雪崩能量保护功能，增强了器件在高能瞬态条件下的耐用性。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围宽，支持标准 10V 驱动电压，同时也兼容 4.5V 至 20V 的栅极驱动器，便于与各种控制电路配合使用。这种灵活性使其在多种电源管理和功率转换应用中具有广泛的适应性。

应用

IXTH67N10A 主要应用于需要高效能和高可靠性的功率电子系统中，例如服务器电源、电信电源、电池充电器、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机控制器和工业自动化设备。
　　在服务器和通信设备的电源模块中，该器件能够提供高效的电能转换，满足高功率密度和高可靠性的需求。
　　在电机控制和电动工具中，IXTH67N10A 可用于实现精确的速度控制和高效的能量利用。
　　此外，该 MOSFET 在太阳能逆变器和储能系统中也常用于功率转换环节，以提升整体系统的能效表现。
　　由于其优异的导通和开关特性，IXTH67N10A 也被广泛应用于电动汽车的车载充电器和 DC-DC 转换器模块中。