时间：2025/8/5 19:30:18
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IXTH67N08MB是一款由Littelfuse（原IXYS）制造的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高频率开关应用。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻、高雪崩能量耐受能力和良好的热稳定性。它通常用于电源转换器、电机驱动、UPS系统以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：80V
最大漏极电流（ID）：67A
导通电阻（RDS(on)）：最大值10.5mΩ（典型值9.2mΩ）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
功率耗散（PD）：300W
雪崩能量（EAS）：5.0J
短路耐受能力：有
IXTH67N08MB具有极低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供了出色的开关性能和热稳定性。
其高雪崩能量能力使其在过载和短路条件下仍能保持稳定工作，增强了系统的可靠性。
该MOSFET具有良好的热阻性能，封装设计有助于快速散热，适用于高功率密度设计。
此外，IXTH67N08MB具有较高的栅极电压容限（±20V），允许在较宽的控制电压范围内工作，增强了驱动电路的兼容性。
该器件的封装符合RoHS标准，适用于现代环保电子设备的设计。
IXTH67N08MB广泛应用于高功率开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电系统、电动工具和电机控制电路中。
由于其高电流能力和低导通电阻，它也非常适合用于高功率LED照明驱动器和工业自动化系统中的功率级设计。
在电动汽车和新能源系统中，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）中的开关控制电路。
此外，它还可用于不间断电源（UPS）、焊接设备和高频逆变器等需要高效率和高可靠性的应用场合。
IXFN66N80Q, IRFP4468, STP67N08M5, SiHPx70N80DG
