IXTH67N08 时间：2025/8/5 21:27:50 阅读：11

IXTH67N08是一款由Littelfuse（前身为IXYS）制造的高功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件主要用于需要高电流和高电压能力的应用，例如功率转换器、电机控制、开关电源（SMPS）以及工业自动化设备。IXTH67N08采用了先进的平面技术，确保了在高工作频率下的高效性能，同时其封装形式（通常是TO-247）也便于散热和集成到各种电路设计中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：67A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为18mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C

特性

IXTH67N08具备多项关键特性，使其成为高功率应用的理想选择。
　　首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。对于开关电源和电机控制应用而言，这意味着更低的热量产生和更高的能源利用率。
　　其次，该器件能够承受高达80V的漏源电压，使其适用于中等高压环境，同时具有较强的抗过压能力。此外，它支持高达67A的连续漏极电流，适合需要高电流输出的应用场景，例如直流电机驱动或大功率LED照明系统。
　　其封装设计（TO-247）不仅提供了良好的热管理性能，还便于安装在散热片上，从而延长器件的使用寿命并提高系统稳定性。TO-247封装也广泛应用于工业领域，兼容性强，易于集成。
　　另外，IXTH67N08具有较高的栅极阈值电压（通常在2.1V至4.0V之间），这有助于防止意外导通，提高电路的安全性和稳定性。其±20V的栅源电压容限也使其在驱动电路设计中更具灵活性，降低了因过电压导致损坏的风险。
　　最后，该MOSFET在高频开关应用中表现出色，由于其快速的开关速度和低寄生电容，能够在高频下保持较高的效率，适用于DC-DC转换器、逆变器和同步整流器等应用。

应用

IXTH67N08广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流器，提供高效的能量转换和稳定的输出。由于其低导通电阻和高电流能力，能够显著降低系统损耗，提高电源效率。
　　在工业自动化和电机控制方面，IXTH67N08适用于电机驱动器、伺服系统和变频器。其高电流承载能力和快速开关特性使其能够满足电机控制中对高动态响应和高效能的要求。
　　此外，该MOSFET也常用于电池管理系统（BMS）和储能系统中，用于充放电控制和能量调节。在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，IXTH67N08也能发挥重要作用，提供稳定可靠的功率开关功能。
　　其他应用包括高功率LED照明系统、工业加热设备、不间断电源（UPS）以及各种需要高效率、高可靠性的功率电子设备。