CGH60015D 时间：2025/12/28 12:36:04 阅读：10

CGH60015D 是一款由 Cree（现为 Wolfspeed）生产的高功率氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），适用于高频、高效率的射频（RF）功率放大器应用。该器件基于 GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）技术，具有优异的热管理和高功率密度特性，广泛应用于商业和军用射频系统，如通信基站、雷达、测试设备和工业加热设备等。

参数

器件类型：GaN FET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：-10V ~ +30V
　　漏极连续电流（Id）：15A
　　输出功率（RF）：典型125W（在2.7GHz）
　　增益：典型22dB（在2.7GHz）
　　效率：典型70%（在2.7GHz）
　　封装类型：金属陶瓷封装（Flanged Package）
　　工作温度范围：-55°C ~ +200°C

特性

CGH60015D 具备多项优异的电气和热力学性能，使其在高频高功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了 GaN-on-SiC 技术，结合了氮化镓材料的高电子迁移率特性和碳化硅基板出色的导热性能。这使得器件能够在高频下保持高效运行，并有效管理热应力，延长使用寿命。
　　其次，CGH60015D 具有高功率密度，可在较小的封装尺寸内提供高达125W的输出功率，特别适合需要紧凑设计的射频放大系统。其高增益和高效率特性也使其在通信和雷达系统中表现出色。
　　此外，该晶体管具有宽栅极电压范围（-10V 至 +30V），便于进行偏置调整和电路优化。其宽工作温度范围（-55°C 至 +200°C）也确保了在极端环境下的稳定运行。
　　最后，CGH60015D 设计为匹配50Ω输入阻抗，简化了其在射频系统中的集成过程，降低了设计复杂性和成本。

应用

CGH60015D 主要用于高频、高功率的射频功率放大器应用，涵盖多个行业领域。
　　在通信行业，该器件广泛应用于蜂窝基站、微波通信和卫星通信系统中的高功率放大器模块，满足4G/5G等新一代通信标准对高效率和高带宽的需求。
　　在军事和航空航天领域，CGH60015D 被用于雷达系统、电子战设备和战术通信设备中，提供高可靠性和高输出功率，适应严苛的工作环境。
　　在工业应用中，它被用于射频能量应用，如工业加热、等离子体发生器和医疗设备中的射频电源系统。
　　此外，该器件也适用于测试与测量设备，如信号发生器和频谱分析仪，提供高精度和高稳定性的射频信号输出。