时间：2025/8/7 16:15:37
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IXTH60N20L2 是由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的一款高电压、高电流能力的功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和快速的开关性能，适用于需要高效率和高性能的电源管理应用。IXTH60N20L2属于N沟道增强型MOSFET，其额定漏源电压为200V，最大连续漏极电流可达60A，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：60A
导通电阻(Rds(on))：47mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：145nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247AC
最大功耗(Pd)：300W
IXTH60N20L2具有多个高性能特性，首先其采用了先进的沟槽栅极技术，使得该MOSFET在导通状态下具有非常低的Rds(on)，从而减少了导通损耗并提高了能效。其次，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在较高温度环境下稳定运行。此外，IXTH60N20L2具备快速的开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
另一个关键特性是其封装设计，TO-247AC封装有助于良好的散热管理，适合高功率密度设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
IXTH60N20L2 适用于多种高功率应用场合，包括但不限于工业电源、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及汽车电子系统中的功率转换模块。在电机控制应用中，该MOSFET能够提供高效的功率切换，支持更高的系统效率和更小的散热器设计。在新能源领域，如光伏逆变器中，该器件的高电压和大电流能力使其成为理想的选择。此外，该MOSFET也可用于高功率DC-DC转换器和负载开关电路中。
IRF6665, FDP6675, STP60NF20
