类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：200V
　　栅极-源极击穿电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：58A（在Tc=25℃时）
　　最大功耗（Ptot）：300W
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为23mΩ（当Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃至175℃
　　封装类型：TO-247

IXTH58N20的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，其漏极-源极额定电压为200V，适合用于高电压应用。它还具备优异的热稳定性，能够在较高的温度下稳定工作，并且具有快速的开关速度，这使其非常适合高频开关应用。
　　该MOSFET采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以优化导通电阻和开关性能之间的平衡。此外，它具备较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在恶劣工况下的可靠性。由于其TO-247封装形式，该MOSFET在安装和散热方面都非常方便，适用于需要高效散热的高功率电路。
　　另一个显著优点是其栅极驱动要求较低，仅需10V的栅极电压即可实现完全导通，这使得其与常见的MOSFET驱动器兼容，并简化了驱动电路的设计。

IXTH58N20适用于多种高功率电子系统，如工业电源、不间断电源（UPS）、电机控制、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。在工业自动化和电机驱动领域，该MOSFET能够提供高效率和稳定的工作性能，适用于PWM控制电路和H桥驱动电路。
　　此外，该器件也广泛用于电力电子变换器，例如Buck、Boost和Flyback转换器，能够有效提升能量转换效率并减少热量产生。由于其高可靠性和强大的雪崩击穿耐受能力，在需要高稳定性和长寿命的系统中也得到了广泛应用。
　　在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键应用。其高耐压和低导通电阻特性使其成为这些应用中的理想选择。

IRF3710, STP55NF06, FDP58N20