制造商：California Eastern Laboratories (CEL)
　　晶体管类型：GaAs HEMT
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　最大工作频率：2.5 GHz
　　输出功率：125 W（典型值）
　　工作电压：28 V
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：约65%
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.0:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

CDRH125ENP-330MC 是一款专为高性能射频功率放大器设计的 GaAs HEMT 晶体管。其高频特性使其非常适合应用于 2.5 GHz 以下的通信系统，如蜂窝基站、微波链路、无线本地环路（WLL）和宽带无线接入（BWA）设备。该晶体管具有高输出功率、高增益和高效率的特点，能够满足现代通信系统对线性度和功率密度的严格要求。
　　在结构设计方面，CDRH125ENP-330MC 采用了先进的 GaAs HEMT 技术，结合高效的散热封装结构，确保在高功率输出时仍能保持良好的热稳定性和可靠性。此外，其低输入驻波比（VSWR）和宽工作温度范围使得该器件能够在复杂环境下稳定运行。
　　此晶体管还具备良好的互调失真（IMD）性能，适合用于需要高线性度的多载波通信系统。在设计上，它可以通过外部偏置电路实现灵活的驱动和功率控制，便于集成到各种射频模块中。

CDRH125ENP-330MC 广泛应用于各种射频功率放大系统，尤其是在蜂窝通信基站（如 2G、3G 和 4G LTE）中作为输出级放大器使用。此外，它也适用于点对点微波通信、无线本地环路、WiMAX 基站以及广播和通信测试设备中的功率放大模块。该晶体管的高效率和高稳定性使其成为无线基础设施设备中不可或缺的核心元件。

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