IXTH50N15A 时间：2025/8/5 18:54:40 阅读：41

IXTH50N15A是一款由Littelfuse（前身为IXYS Corporation）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高功率和高效率的应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（150V）以及良好的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。IXTH50N15A采用TO-247封装，具备优异的散热性能，能够有效应对高功率应用中的热挑战。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +175°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值38mΩ（@ Vgs=10V）
　　功耗（Ptot）：250W
　　封装形式：TO-247

特性

IXTH50N15A功率MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其最大漏源电压为150V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用场景。该器件的最大连续漏极电流为50A，配合低导通电阻（最大38mΩ），可显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，该MOSFET的TO-247封装设计提供了良好的散热能力，使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。栅极驱动电压范围为±20V，确保了在多种驱动电路中的兼容性与稳定性。
　　器件内部采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高频开关应用中表现出色，具备快速开关能力和低开关损耗。同时，该器件具备良好的雪崩能量承受能力，提高了在恶劣工况下的可靠性。
　　IXTH50N15A还具备优异的热稳定性，在高功耗环境下仍能维持较低的温升，延长了器件的使用寿命，并减少了散热器的尺寸需求。这使得该器件在紧凑型电源设计中尤为适用。

应用

IXTH50N15A广泛应用于各种高功率和高效能的电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　? 开关电源（SMPS）：适用于各种AC-DC和DC-DC电源转换器，提供高效率和高可靠性。
　　? 电机控制：可用于直流电机驱动器、无刷直流电机控制器以及伺服驱动系统。
　　? 光伏逆变器：在太阳能逆变器中作为功率开关元件，提升能源转换效率。
　　? 电池管理系统（BMS）：用于高功率电池充放电控制电路。
　　? 工业自动化设备：如PLC控制模块、高频感应加热设备和焊接电源等。
　　? 电动车和充电设备：应用于电动车的DC-DC变换器和车载充电器系统中。