IXTH50N10 时间：2025/8/6 7:10:24 阅读：16

IXTH50N10是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有高功率处理能力和优异的热性能。该器件适用于需要高效率和高可靠性的应用，如电源转换器、电机驱动和工业控制系统。IXTH50N10采用了TO-247封装，能够承受较高的电压和电流。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.033Ω（最大）
　　功率耗散：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

IXTH50N10的主要特性包括低导通电阻、高电流处理能力和优异的热稳定性。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体效率。该器件的高电流处理能力使其适用于需要高功率输出的应用。
　　此外，IXTH50N10具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性和长寿命。其TO-247封装设计有助于散热，适合高功率密度的设计需求。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，减少开关损耗并提高效率。

应用

IXTH50N10广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、直流-直流转换器、电机控制、工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统。在电源管理系统中，该器件能够提供高效的能量转换，降低能耗。在电机控制应用中，IXTH50N10的高电流处理能力使其成为驱动高性能电机的理想选择。
　　此外，该MOSFET还适用于需要高可靠性和高效率的工业自动化设备，如变频器和伺服驱动器。在不间断电源系统中，IXTH50N10能够提供稳定的电力输出，确保关键设备在电力中断时的正常运行。