晶体管类型：NPN双极型晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：1.5A（每个晶体管）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：16引脚DIP（Dual In-line Package）
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：50至1000（取决于工作电流）

IX0226CE内部集成两个高性能NPN晶体管，具有优异的热稳定性和高频响应能力。每个晶体管均可独立工作，适用于需要高增益和低噪声的放大电路设计。其共基极配置使得输入阻抗较低，输出阻抗较高，非常适合用于高频放大和电流缓冲应用。
　　该器件采用高纯度硅材料和先进的制造工艺，确保了良好的线性度和稳定性。此外，IX0226CE还具备较强的过载保护能力，能够在高电流和高温环境下稳定运行，适用于要求高可靠性的工业控制系统和电源设备。
　　在封装方面，IX0226CE采用16引脚DIP封装，便于插装和焊接，适合用于通孔安装（THT）工艺。其封装设计也确保了良好的散热性能，能够在较高功耗下保持稳定工作状态。

IX0226CE广泛应用于音频功率放大器、电机驱动电路、DC-DC转换器、LED驱动电路以及各种高可靠性工业设备中。由于其高频响应能力和高电流输出能力，IX0226CE也常用于射频（RF）放大器和高速开关电路中。此外，该器件还可用于传感器信号放大、电源管理模块以及各种需要高性能晶体管的电子系统中。

IX0226CE的替代型号包括IX0226CEG、IX0226CNE和IX0226CSE。