时间：2025/8/5 18:35:11
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IXTH4N100L是一款由Littelfuse（前身为IXYS）制造的高压N沟道增强型功率MOSFET，专为高效率电源转换和高功率开关应用而设计。该器件采用TO-247封装，具备优良的热性能和高电流承载能力，适用于工业电源、UPS系统、电机控制以及DC-DC转换器等多种应用。IXTH4N100L的最大漏极电压为1000V，最大连续漏极电流为4A，在高温条件下仍能保持稳定运行。
漏极电压（VDSS）：1000V
连续漏极电流（ID）：4A
漏源导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：4.5V @ ID=1mA
功耗（PD）：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-247
雪崩能量（EAS）：500mJ
IXTH4N100L具有多个关键特性，使其在高压功率MOSFET中表现出色。首先，其高击穿电压（1000V）允许在高压环境中稳定工作，减少了外部保护元件的需求。其次，该器件具备较低的导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。此外，IXTH4N100L具有较强的雪崩能量承受能力，增强了在异常工作条件下的可靠性和耐用性。其TO-247封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（通常为10V），便于与常见的驱动电路配合使用。最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于多种工业和消费类应用。
IXTH4N100L广泛应用于需要高电压和中等电流控制的功率电子系统中。典型应用包括高压开关电源、不间断电源（UPS）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动、照明控制系统以及工业自动化设备。由于其具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，该器件在苛刻的工作环境下仍能保持稳定的性能。此外，它也适用于要求高可靠性和长寿命的医疗设备和测试仪器。
STW4N100L, IRGPC40K, FGH4N100S
