时间：2025/8/5 18:42:51
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IXTH42N20MA是一款由Littelfuse公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高功率开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压（200V）以及高电流承载能力的特点，适用于工业控制、电源转换、电动工具和汽车电子等领域。
类型：MOSFET（N沟道增强型）
最大漏极电压（VDS）：200V
最大连续漏极电流（ID）：42A
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.038Ω（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：157nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
IXTH42N20MA的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于高负载应用场景。此外，它具有快速开关特性，能够适应高频开关操作，从而减小外部滤波器的尺寸并提高系统响应速度。封装形式采用TO-247，具有良好的散热性能，适合高功率密度设计。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统的可靠性。其栅极驱动特性较为稳定，对驱动电路的要求较低，便于在多种应用中实现高效控制。此外，IXTH42N20MA在制造过程中采用了先进的硅工艺，确保了器件的高可靠性和长寿命，适用于严苛的工业环境。
IXTH42N20MA广泛应用于多种高功率电子系统中，包括电机驱动器、逆变器、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）和电焊设备。在电机控制应用中，它可以用于实现高效的功率调节和速度控制。在电源转换系统中，该MOSFET能够提供高效的能量传输和良好的热管理能力。此外，在汽车电子系统中，该器件可用于电动车辆的功率管理系统，以满足对高效率和高可靠性的需求。工业自动化设备和智能电网系统也是其典型的应用领域。
IXFN42N20MA、IXTP42N20MA、IRFP4668
