IRF2N60是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-AC转换器、电机控制和开关电源等场合。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻以及优异的热稳定性,适合用于高频开关应用。IRF2N60采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):2.3A
栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):最大值为4.0Ω(典型值为2.5Ω)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C至150°C
IRF2N60的主要特点之一是其高击穿电压能力,能够承受高达600V的漏源电压,使其适用于高压电源系统。该器件采用了先进的平面技术,提供了出色的耐用性和可靠性。
此外,IRF2N60具有较低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。尽管其导通电阻相对于一些现代超低Rds MOSFET略高,但在同类标准MOSFET中仍具有竞争力。
该MOSFET的栅极驱动设计兼容常见的驱动电路,允许使用标准的10V或12V驱动电压进行有效控制。同时,其快速开关能力使得它在高频应用中表现良好,减少开关损耗。
IRF2N60还具备良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压情况下提供一定程度的自我保护。这对于提高系统的稳定性和延长使用寿命至关重要。
封装方面,TO-220封装不仅提供了良好的机械强度,还具备优良的散热性能,有助于将热量有效地传导到外部散热片上,从而确保器件在高负载条件下也能保持稳定的性能。
IRF2N60常用于各种电力电子系统中,例如:
- 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器
- DC-DC转换器,特别是在需要高压输入的应用中
- 逆变器和UPS系统中的功率开关
- 电机驱动和电动工具中的功率控制电路
- 工业自动化设备中的电源管理和负载切换
- 家用电器中的功率调节模块,如电磁炉、电热水器等
- 照明系统,如LED驱动器和HID灯镇流器
TK2P60D, FQP12N60C, IRF8N60C, STF8NM60ND