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IXTH3N150 发布时间 时间:2025/8/5 10:45:37 查看 阅读:9

IXTH3N150是一种高电压、高电流的双极型晶体管(BJT),由Littelfuse生产。该晶体管设计用于高功率应用,具有优异的热稳定性和可靠性。它采用TO-247封装,便于安装和散热。IXTH3N150通常用于工业控制、电源系统和电机驱动等场合。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流:3A
  最大集电极-发射极电压:150V
  最大功耗:80W
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

IXTH3N150具有高电压和高电流能力,使其适用于各种高功率电子设备。其TO-247封装提供了良好的散热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。该晶体管还具有优异的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中保持性能。此外,IXTH3N150的设计使其易于安装和使用,适用于多种电路设计需求。
  该晶体管的增益带宽积和开关特性使其在高频应用中表现出色。其低饱和压降特性有助于减少功率损耗,提高整体效率。IXTH3N150的这些特点使其成为工业控制、电源系统和电机驱动等领域的理想选择。

应用

IXTH3N150广泛应用于工业控制设备、电源管理系统和电机驱动器。它也常用于高功率放大器和开关电源设计中。由于其优异的性能和可靠性,IXTH3N150也适用于需要高电压和高电流能力的电子设备。

替代型号

IXTH3N120, IXTH3N180

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IXTH3N150参数

  • 现有数量24现货
  • 价格1 : ¥106.45000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)1500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)3A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.3 欧姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)38.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1375 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247(IXTH)
  • 封装/外壳TO-247-3