PSMN0R9-30ULD 时间：2025/9/13 23:43:32 阅读：12

PSMN0R9-30ULD 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换和高频开关应用设计，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能。PSMN0R9-30ULD 采用先进的沟槽技术，使其能够在低栅极电荷（Qg）下实现高电流承载能力和快速开关性能。该器件常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）等高功率密度应用中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：120A（在25°C）
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.9mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：105nC（典型值）
　　封装类型：Power-SO8
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

PSMN0R9-30ULD 具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在保持低导通电阻的同时，具备快速的开关速度，适用于高频开关应用。
　　此外，PSMN0R9-30ULD 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升整体能效。其最大漏极电流为 120A，表明其具备出色的电流承载能力，适用于高功率应用场景。
　　该器件采用 Power-SO8 封装，具备良好的热管理和可靠性，能够在高工作温度下稳定运行。封装尺寸较小，适合高密度 PCB 设计。同时，PSMN0R9-30ULD 的工作温度范围广泛，可在 -55°C 至 +175°C 环境下稳定运行，适用于各种严苛工业和汽车电子环境。
　　由于其出色的电气性能和热稳定性，PSMN0R9-30ULD 被广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统（BMS）以及负载开关等领域。

应用

PSMN0R9-30ULD 广泛应用于多种高功率电子系统中。在电源管理领域，它被用于 DC-DC 转换器和同步整流器，以实现高效率的能量转换。在电机控制系统中，该器件可用于 H 桥结构，实现电机的正反转控制以及制动功能。此外，PSMN0R9-30ULD 还常用于电池管理系统（BMS），作为高电流负载开关或充放电控制开关，确保电池组的安全运行。
　　在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，PSMN0R9-30ULD 被用于高密度功率转换模块，以提升整体能效和系统稳定性。其优异的热性能和小尺寸封装使其非常适合空间受限但要求高性能的应用场景。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统以及车用 DC-DC 转换器等，满足汽车电子对高可靠性和宽工作温度范围的需求。